HIPiMS技术,真空镀膜,镀膜工艺,镀膜电源,表面改性,真空设备,DLC涂层 - 新闻动态

高熵合金氮化物薄膜是一种基于高熵合金设计理念的产物，在热力学和动力学上可以分别具有更低的吉布斯自由能和更小的元素扩散速率，抑制了金属间化合物有序相的生成，促进简单固溶体结构甚至非晶相的形成。

管道作为一种流体运输工具，管道内表面经常暴露在复杂的介质中。这些流体中存在的污染物或腐蚀性元素会导致管道内壁腐蚀破损，每年都会造成巨大的经济损失。

大家都知道PVD的前处理很重要，甚至有人说，一个膜层镀好，可能有50%以上决定于前处理。那么前处理，主要清理掉什么呢？

Ti-Si-N是被认为是一种高硬度的膜层，Veprek（1999）提出了一种结构模型，认为是非晶包含纳米晶结构。这有点类似于我们见到的沥青和石头混合路面结构。这里的纳米晶尺寸和非晶含量的多少是很讲究的。太多不行，太少也不行。

高功率脉冲磁控溅射技术（HiPIMS）相比传统直流磁控溅(DCMS)，HiPIMS具有高等离子体密度、高金属离化率，更高的离子流密度。但对于优异的薄膜生长来说，仅有高离子流密度还远远不够，为获得更快的生长速率与致密的膜层质量，到达基底的离子能量也至关重要。

HiPIMS电源属于脉冲电源的一种，通过降低占空比到低于10%，在相同功率情况下，可以使得磁控溅射峰值电流三个数量级的增加，本文将介绍脉冲波形对于辉光放电特性的影响，为控制不同靶材辉光特性及工艺优化提供参考。

正如前文“双极HiPIMS调控薄膜生长过程中的离子能量”中我们讲到对于HiPIMS放电在负向脉冲放电完成后加一定正向脉冲，可以提高HiPIMS放电后的等离子体电势，从而加速到达基底的离子的能量，提高薄膜生长速率与质量。

管筒内表面处理的方式最早采用的是电镀方法，但电解液污染环境。后来采用真空镀膜方法来处理管状构件内表面，包括化学气相沉积( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积( Physical Vapor Deposition，PVD)。