表面处理技术专家

全球领先,12m超长管道镀膜技术

新铂科技专注于高功率脉冲等离子体真空镀膜技术

  • 电源

    HiPIMS电源,P3E电源, 100KHz偏压电源

  • 设备

    高功率磁控PVD设备
    高能脉冲弧PVD设备、管道PECVD镀膜设备

  • 工艺

    DLC、CrN、CrTiN、TiSiCN、CrAlSiCN

产品及解决方案

应用案例

about us

关于新铂

公司简介

新铂科技(东莞)有限公司成立于2020 年底,是新铂科技的主要生产基地,具有4条组装生产线和5条检测调试线,厂房面积2000+,现有员工20+。是国内专业从事真空镀膜系统的研发、制造、销售为一体的国家级高新技术企业。其研发中心位于东莞市松山湖大学创新城,其研发人员均为硕士以上学历(其中博士6人),在相关领域发表学术论文300余篇。

  • 60%

    研发人员占比

  • 300+

    发布学术论文

  • 4.5星级

    客户好评

  • 50+

    课题合作研发

  • 20+

    定制开发项目

公司简介

企业荣誉

新闻中心


新铂科技:什么是辉光?

重庆新铂科技:什么是辉光?

视频带您了解什么是辉光?...


真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术的区别

重庆真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术的区别

真空磁控溅射涂层技术不同于真空蒸发涂层技术。溅射是指核能颗粒轰击固体表面(目标),使固体原子或分子从表面射出的现象。...

  • 真空镀膜技术的基本原理

    重庆真空镀膜技术的基本原理

    真空镀膜技术的基本原理 真空镀膜技术是气相物理沉积的方法之一,也称为真空镀膜。在真空条件下,涂层材料被蒸发器加热升华,蒸发的颗粒直接流向基底,在基底表面沉积一层固体薄膜。...

    2022-09-28 00:00:00   |   →
  • 请问,HiPIMS高能磁控电源输出线有什么注意事项?

    重庆请问,HiPIMS高能磁控电源输出线有什么注意事项?

    请问,HiPIMS高能磁控电源输出线有什么注意事项? 一、电源输出线离腔体尽量近,电源线尽量短 为了保证脉冲电流波引入到真空腔体时波形不畸变,且衰减小。期望在系统中,脉冲电镀电源与真空腔体的距离2-3m为佳,长线易对脉冲电流波形的上升、下降沿产生较大的影响,真空腔体打火时,灭弧效果有影响。...

    2022-09-21 00:00:00   |   →
  • 磁控溅射技术分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射,分别有何作用?

    重庆磁控溅射技术分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射,分别有何作用?

    磁控溅射可分为直流(DC)磁控溅射、中频(MF)磁控溅射、射频(RF)磁控溅射。直流(DC)磁控溅射与气压在一定范围内的溅射提高了电离率(尽可能小保持较高的电离率),提高了均匀度增加了压力又保证了薄膜的纯度,...

    2022-06-08 13:43:18   |   →
  • HIPIMS脉冲磁控溅射的工作原理

    重庆HIPIMS脉冲磁控溅射的工作原理

    脉冲磁控溅射是一种用矩形波电压脉冲电源代替传统直流电源的磁控溅射...

    2022-06-08 13:42:11   |   →

HiPIMS自组织放电高分辨光谱影像学

重庆HiPIMS自组织放电高分辨光谱影像学

因磁场约束,以及超高功率放电,高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)在放电过程中会存在局部放电增强而导致辉光闪烁的不稳定现象。当不稳定辉光存在时,其放电状态也有很大差异,辉光会形成不同的放电组织和斑图形式。伴随着这些增强型斑图辉光放电,其内部粒子成分放电状态如激发与电离存在差异,如何直观研究这些变化,高分辨光谱影像学是一种有效的手段,可直观观察不稳定区域的放电形式与变化。...

  • 直流偏压对HMDSO制备C:SiOX膜层性能的影响

    重庆直流偏压对HMDSO制备C:SiOX膜层性能的影响

    HMDSO制备C:SiOX膜层具有优异的耐腐蚀性能,上篇讲到HMDSO/O2比例对膜层成分,耐腐蚀性能与硬度影响。在整个镀膜过程中,偏压也是影响HMDSO制备的C:SiOX膜层性能的因素之一。...

    2022-07-16 11:47:46   |   →
  • HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜

    重庆HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜

    在Si靶和Ta靶氧反应溅射时,用合适的HiPIMS脉冲参数可以抑制进气迟滞回线,在没有气体控制器下也能保证工艺稳定性。...

    2022-07-16 11:39:34   |   →
  • HiPIMS有无局部离化区的放电对比研究

    重庆HiPIMS有无局部离化区的放电对比研究

    高功率脉冲磁控溅射技术(HiPIMS)因磁场约束放电,其靶材附近的放电形式变化多样。放电的不稳定性,等离子体均匀性,等离子体的磁约束情况都是非常值得研究的内容,如等离子体局部离化,电子逃逸等导致的等离子体形状变化如条形斑图,环状斑图等。...

    2022-07-16 11:29:05   |   →
  • 不同前驱体气体对DLC膜层的影响

    重庆不同前驱体气体对DLC膜层的影响

    在DLC膜层制备的过程中,都会使用到烃类的前驱体气体,而不同的前驱体对膜层的性能有着不同的影响。 ...

    2022-07-16 11:27:53   |   →

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