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PECVD技术

  PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指等离子体增强化学的气相沉积法。等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中,激发气体,使其产生低温等离子体,增强反应物质的化学活性,从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上,通入反应气体至较低气压(1~600Pa),基体保持一定温度,以某种方式产生辉光放电,基体表面附近气体电离,反应气体得到活化,同时基体表面产生阴极溅射,从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应,还存在着复杂的等离子体化学反应。

  沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。     

激发辉光放电的方法主要有:射频激发,直流高压激发,脉冲激发和微波激发。      

等离子体增强化学气相沉积的主要优点:      

沉积温度低,对基体的结构和物理性质影响小;膜的厚度及成分均匀性好;膜组织致密、针孔少,不易龟裂;膜层的附着力强;应用范围广,可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。


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