新铂科技-生态分享（1）hipims-SiO2

用Hipims制备Cr保护膜 Hipims-Cr

用Hipims正脉冲 低温获得立方Y2O3高温相 文献中实验室小靶Hipims的案例分享（3）Hipims-Y2O3

斩波双极HiPIMS增强绝缘表面能量通量——中电容下能量通量提升20%

斩波双极HiPIMS（5[N+6P]）通过多个短正脉冲替代单个长正脉冲，在中等表面电容（10nF）下使能量通量比5[N]配置提升20%。斩波单极HiPIMS（5[N]）相比标准HiPIMS（[N]）能量通量提升50%，沉积速率提升20%

HiPIMS沉积Nb₃Sn薄膜——750°C下Tc达17.43K，无需后退火

采用HiPIMS技术，通过高能离子增强表面扩散，在750°C、-50V偏压下直接沉积A15相Nb3Sn薄膜，Tc高达17.43K（体材理论值18.3K的95%），ΔTc仅0.23K，RRR为2.15，无需任何后退火处理。与传统锡蒸气扩散法

HiPIMS沉积Nb薄膜——mK温区微波损耗与体铌相当，光子寿命达秒级

HiPIMS沉积Nb薄膜（RRR约20，晶粒400–600 nm）在mK温区微波损耗与体铌（RRR约300，晶粒50μm）相当，Q₀达2×10¹⁰，光子寿命>1 s；340°C真空退火使TLS损耗降低10倍。小晶粒、低RRR对超导量子器件所需低场

单磁控管上HiPIMS与射频叠加：高离子能量的产生

HiPIMS技术因高离化率而能制备致密、高结合力的薄膜，但HiPIMS中等离子体电位通常较低，仅数eV，限制了离子到达基底时的能量。传统上通过施加负基底偏压来加速离子，但对于介电薄膜或绝缘基底

HiPIMS沉积Nb薄膜——-300V偏压下实现30%再溅射率与薄膜近乎平面化

采用HiPIMS+DC偏压（-50至-300V），在沟槽Si基底上沉积Nb薄膜。-300V偏压下实现30%再溅射率，离子入射角FWHM从11°缩至3°，归一化峰高随离子能量指数衰减，基底形貌影响被有效去除