新铂科技-生态分享（1）hipims-SiO2

用Hipims制备Cr保护膜 Hipims-Cr

用Hipims正脉冲 低温获得立方Y2O3高温相 文献中实验室小靶Hipims的案例分享（3）Hipims-Y2O3

HiPIMS沉积Nb薄膜——mK温区微波损耗与体铌相当，光子寿命达秒级

HiPIMS沉积Nb薄膜（RRR约20，晶粒400–600 nm）在mK温区微波损耗与体铌（RRR约300，晶粒50μm）相当，Q₀达2×10¹⁰，光子寿命>1 s；340°C真空退火使TLS损耗降低10倍。小晶粒、低RRR对超导量子器件所需低场

单磁控管上HiPIMS与射频叠加：高离子能量的产生

HiPIMS技术因高离化率而能制备致密、高结合力的薄膜，但HiPIMS中等离子体电位通常较低，仅数eV，限制了离子到达基底时的能量。传统上通过施加负基底偏压来加速离子，但对于介电薄膜或绝缘基底

HiPIMS沉积Nb薄膜——-300V偏压下实现30%再溅射率与薄膜近乎平面化

采用HiPIMS+DC偏压（-50至-300V），在沟槽Si基底上沉积Nb薄膜。-300V偏压下实现30%再溅射率，离子入射角FWHM从11°缩至3°，归一化峰高随离子能量指数衰减，基底形貌影响被有效去除

HiPIMS沉积DLC-Si薄膜——海水中摩擦系数0.083&腐蚀电流3.397×10⁻⁸A/cm²

采用HiPIMS技术，通过HMDSO气体流量调控Si含量。Si含量9.26at.%时，DLC-Si薄膜在海水中摩擦系数低至0.083，磨损率4.689×10⁻⁷mm³/(N·m)；腐蚀电流3.397×10⁻⁸ A/cm²，较304不锈钢基体降低3个数量级

HiPIMS沉积CrAlCN纳米复合涂层——硬度46.6 GPa&磨损率0.11×10⁻⁶ mm³/(N·m)

采用HiPIMS技术，通过调控Al靶电流和C₂H₂流量，获得CrAl₁₅₀C₅N₃₀涂层。该涂层硬度高达46.6 GPa，结合力Lc2 > 100 N，对AISI 52100钢球磨损率低至0.11×10-6mm³/(N·m)，比未涂层WC基体降低3.8倍