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HiPIMS金属填充工艺——纳米孔洞超填充&Cu vs Co
采用HiPIMS技术结合偏压，Cu离子分数约50%，可实现纳米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向发散无法填充；Co虽放电功率更高，但离子到达基片分数仅34%，填充效果远逊于Cu。再溅射与再沉积是超填充的关键机理
采用HiPIMS技术结合偏压，Cu离子分数约50%，可实现纳米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向发散无法填充；Co虽放电功率更高，但离子到达基片分数仅34%，填充效果远逊于Cu。再溅射与再沉积是超填充的关键机理