浙江HiPIMS,低温ITO沉积的机会!
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斩波双极HiPIMS(5[N+6P])通过多个短正脉冲替代单个长正脉冲,在中等表面电容(10nF)下使能量通量比5[N]配置提升20%。斩波单极HiPIMS(5[N])相比标准HiPIMS([N])能量通量提升50%,沉积速率提升20%...

采用HiPIMS技术,通过高能离子增强表面扩散,在750°C、-50V偏压下直接沉积A15相Nb3Sn薄膜,Tc高达17.43K(体材理论值18.3K的95%),ΔTc仅0.23K,RRR为2.15,无需任何后退火处理。与传统锡蒸气扩散法...

HiPIMS沉积Nb薄膜(RRR约20,晶粒400–600 nm)在mK温区微波损耗与体铌(RRR约300,晶粒50μm)相当,Q₀达2×10¹⁰,光子寿命>1 s;340°C真空退火使TLS损耗降低10倍。小晶粒、低RRR对超导量子器件所需低场...

HiPIMS技术因高离化率而能制备致密、高结合力的薄膜,但HiPIMS中等离子体电位通常较低,仅数eV,限制了离子到达基底时的能量。传统上通过施加负基底偏压来加速离子,但对于介电薄膜或绝缘基底...

采用HiPIMS在WC-Co上沉积具有界面嵌套结构的分级TiAlN/CrN涂层:亚微米TiAlN/CrN交替层作为宏观骨架,约0.3 μm,界面处嵌套约5 nmTiAlN/CrN超晶格过渡层。涂层硬度达37.71 GPa,附着力81.85 N(比TiAlN单层提高56.3%),磨损率低...

随着N2流量从0增至75sccm,CrNx涂层中N含量快速增加并在约52at.%饱和,与Cr-N相图化学计量比一致。放电从金属模式向化合物模式转变,Cr⁺/Cr*发射强度比升高,电子温度上升,高能Cr⁺通量增强Cr-N键...

采用混合MFMS+HiPIMS2模式(TiCN层仅HiPIMS沉积),多层膜硬度达33.36 GPa,H3/E2=0.42,摩擦系数0.39,磨损体积仅0.46 µm³;腐蚀电位+1.452 V,腐蚀电流1.03 µA/cm²。相比纯MFMS模式,HiPIMS引入使晶粒细化、结构致密,耐磨耐蚀性显著提升...

HiPIMS沉积TiN时,通过调节同步基底偏压滞后时间(0-150 μs),残余应力从DC偏压的-9.4 GPa降至-1.5 GPa(滞后50 μs),硬度保持25 GPa左右;滞后100 μs时H³/E²达0.213,腐蚀电流仅5.87 nA。CrN因电离度低...
在石油行业,人们正在努力提高原油回收效率。例如,注入二氧化碳可以将原油的生产效率提高10%~15%。然而,随着石油产量的增加,也面临着更多的挑战,管道腐蚀是其中之一。对于二氧化碳增强采收率(EOR)技术,生产油水混合物因高压与二氧化碳过饱和而酸化,...



一般来说,真空镀膜可以具有较好的附着力。这主要是因为在真空环境下,镀膜材料的原子或分子能够以较高的能量和纯净度沉积在基材表面。与传统的镀膜方法相比,真空镀膜减少了杂质和氧化的影响,从而有利于提高镀膜与基材之间的结合力。...

HiPIMS(高功率脉冲磁控溅射,High Power Impulse Magnetron Sputtering)是一种薄膜沉积技术,它利用高频脉冲电源产生的高密度等离子体来进行材料的溅射沉积。相较于传统的直流磁控溅射(DCMS),HiPIMS技术具有更高的离子化率、更好的薄膜质量以及更均匀的薄膜厚度等优点。因此,HiPIMS技术在薄膜沉积领域得到了广泛的应用,尤其是在制备高质量、高性能薄膜材料方面表现突出。...