HiPIMS沉积DLC-Si薄膜——海水中摩擦系数0.083&腐蚀电流3.397×10⁻⁸A/cm²

采用HiPIMS技术，通过HMDSO气体流量调控Si含量。Si含量9.26at.%时，DLC-Si薄膜在海水中摩擦系数低至0.083，磨损率4.689×10⁻⁷mm³/(N·m)；腐蚀电流3.397×10⁻⁸ A/cm²，较304不锈钢基体降低3个数量级

HiPIMS沉积CrAlCN纳米复合涂层——硬度46.6 GPa&磨损率0.11×10⁻⁶ mm³/(N·m)

采用HiPIMS技术，通过调控Al靶电流和C₂H₂流量，获得CrAl₁₅₀C₅N₃₀涂层。该涂层硬度高达46.6 GPa，结合力Lc2 > 100 N，对AISI 52100钢球磨损率低至0.11×10-6mm³/(N·m)，比未涂层WC基体降低3.8倍

HiPIMS沉积TiN氢渗透屏障——阻隔效率56.9%&扩散系数降低3.8倍

采用HiPIMS在SAE 1020碳钢上沉积TiN薄膜，氢渗透滞后时间从153 s增至570 s，有效扩散系数从1.03×10-9降至2.68×10-10 m²/s，稳态渗透电流密度从约50降至21.5 μA/cm²，阻隔效率达56.9%，渗透衰减因子PRF为2.32

工业HiPIMS沉积TiN/CrN多层涂层——超晶格结构&硬度31.9 GPa

在工业级HiPIMS系统中，通过交替溅射Ti和Cr靶制备TiN/CrN多层涂层。双层周期Λ=15 nm时形成清晰超晶格结构，硬度达31.9 GPa（比单层CrN提高98%），弹性模量394 GPa；Λ=7 nm时获得高H/E和H³/E²比值，抗裂耐磨性更优

MIS-HiPIMS同步脉冲偏压调控CrSiN纳米复合薄膜——硬度20.2 GPa & 磨损率9.1×10⁻¹⁶ m³/N·m

采用MIS-HiPIMS技术，同步脉冲偏压宽度从100 μs增至500 μs，离子轰击时间延长，薄膜由疏松柱状演变为致密纳米柱状结构。硬度从15.6 GPa升至20.2 GPa，磨损率低至9.1×10⁻¹⁶ m³/N·m。

双极HiPIMS中Au I强度随电压13倍提升——短脉冲沉积金

HiPIMS长脉冲宽度调控——高导电铜膜&2.27μΩ·cm

HiPIMS金属填充工艺——纳米孔洞超填充&Cu vs Co

采用HiPIMS技术结合偏压，Cu离子分数约50%，可实现纳米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向发散无法填充；Co虽放电功率更高，但离子到达基片分数仅34%，填充效果远逊于Cu。再溅射与再沉积是超填充的关键机理