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HiPIMS金属填充工艺——纳米孔洞超填充&Cu vs Co
采用HiPIMS技术结合偏压，Cu离子分数约50%，可实现纳米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向发散无法填充；Co虽放电功率更高，但离子到达基片分数仅34%，填充效果远逊于Cu。再溅射与再沉积是超填充的关键机理
短时多脉冲HiPIMS技术&低偏压、低应力的DLC薄膜
DOMS（短时多脉冲HiPIMS技术）的18个连续短振荡显著减少了离子回吸，并利用脉冲间残留等离子体促进再点燃，使到达基底的碳离子流密度提高至4倍，从而实现离子辅助沉积。
