工业HiPIMS沉积TiN/CrN多层涂层——超晶格结构&硬度31.9 GPa

在工业级HiPIMS系统中，通过交替溅射Ti和Cr靶制备TiN/CrN多层涂层。双层周期Λ=15 nm时形成清晰超晶格结构，硬度达31.9 GPa（比单层CrN提高98%），弹性模量394 GPa；Λ=7 nm时获得高H/E和H³/E²比值，抗裂耐磨性更优

MIS-HiPIMS同步脉冲偏压调控CrSiN纳米复合薄膜——硬度20.2 GPa & 磨损率9.1×10⁻¹⁶ m³/N·m

采用MIS-HiPIMS技术，同步脉冲偏压宽度从100 μs增至500 μs，离子轰击时间延长，薄膜由疏松柱状演变为致密纳米柱状结构。硬度从15.6 GPa升至20.2 GPa，磨损率低至9.1×10⁻¹⁶ m³/N·m。

双极HiPIMS中Au I强度随电压13倍提升——短脉冲沉积金

HiPIMS长脉冲宽度调控——高导电铜膜&2.27μΩ·cm

HiPIMS金属填充工艺——纳米孔洞超填充&Cu vs Co

采用HiPIMS技术结合偏压，Cu离子分数约50%，可实现纳米孔洞完美填充。DCMS因中性原子方向发散无法填充；Co虽放电功率更高，但离子到达基片分数仅34%，填充效果远逊于Cu。再溅射与再沉积是超填充的关键机理

双极HiPIMS中铜靶等离子体发射——正脉冲放电的时空光谱特征

HiPIMS中热化离子抑制原子阴影效应

短时多脉冲HiPIMS技术&低偏压、低应力的DLC薄膜

DOMS（短时多脉冲HiPIMS技术）的18个连续短振荡显著减少了离子回吸，并利用脉冲间残留等离子体促进再点燃，使到达基底的碳离子流密度提高至4倍，从而实现离子辅助沉积。