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斩波双极HiPIMS增强绝缘表面能量通量——中电容下能量通量提升20%
斩波双极HiPIMS（5[N+6P]）通过多个短正脉冲替代单个长正脉冲，在中等表面电容（10nF）下使能量通量比5[N]配置提升20%。斩波单极HiPIMS（5[N]）相比标准HiPIMS（[N]）能量通量提升50%，沉积速率提升20%
HiPIMS沉积Nb₃Sn薄膜——750°C下Tc达17.43K，无需后退火
采用HiPIMS技术，通过高能离子增强表面扩散，在750°C、-50V偏压下直接沉积A15相Nb3Sn薄膜，Tc高达17.43K（体材理论值18.3K的95%），ΔTc仅0.23K，RRR为2.15，无需任何后退火处理。与传统锡蒸气扩散法
HiPIMS沉积Nb薄膜——mK温区微波损耗与体铌相当，光子寿命达秒级
HiPIMS沉积Nb薄膜（RRR约20，晶粒400–600 nm）在mK温区微波损耗与体铌（RRR约300，晶粒50μm）相当，Q₀达2×10¹⁰，光子寿命>1 s；340°C真空退火使TLS损耗降低10倍。小晶粒、低RRR对超导量子器件所需低场
单磁控管上HiPIMS与射频叠加：高离子能量的产生
HiPIMS技术因高离化率而能制备致密、高结合力的薄膜，但HiPIMS中等离子体电位通常较低，仅数eV，限制了离子到达基底时的能量。传统上通过施加负基底偏压来加速离子，但对于介电薄膜或绝缘基底
HiPIMS沉积Nb薄膜——-300V偏压下实现30%再溅射率与薄膜近乎平面化
采用HiPIMS+DC偏压（-50至-300V），在沟槽Si基底上沉积Nb薄膜。-300V偏压下实现30%再溅射率，离子入射角FWHM从11°缩至3°，归一化峰高随离子能量指数衰减，基底形貌影响被有效去除
HiPIMS沉积DLC-Si薄膜——海水中摩擦系数0.083&腐蚀电流3.397×10⁻⁸A/cm²
采用HiPIMS技术，通过HMDSO气体流量调控Si含量。Si含量9.26at.%时，DLC-Si薄膜在海水中摩擦系数低至0.083，磨损率4.689×10⁻⁷mm³/(N·m)；腐蚀电流3.397×10⁻⁸ A/cm²，较304不锈钢基体降低3个数量级
HiPIMS沉积CrAlCN纳米复合涂层——硬度46.6 GPa&磨损率0.11×10⁻⁶ mm³/(N·m)
采用HiPIMS技术，通过调控Al靶电流和C₂H₂流量，获得CrAl₁₅₀C₅N₃₀涂层。该涂层硬度高达46.6 GPa，结合力Lc2 > 100 N，对AISI 52100钢球磨损率低至0.11×10-6mm³/(N·m)，比未涂层WC基体降低3.8倍
HiPIMS沉积TiN氢渗透屏障——阻隔效率56.9%&扩散系数降低3.8倍
采用HiPIMS在SAE 1020碳钢上沉积TiN薄膜，氢渗透滞后时间从153 s增至570 s，有效扩散系数从1.03×10-9降至2.68×10-10 m²/s，稳态渗透电流密度从约50降至21.5 μA/cm²，阻隔效率达56.9%，渗透衰减因子PRF为2.32