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真空镀膜的工艺流程是什么

真空镀膜是一种在材料表面形成薄膜的技术,主要流程包括以下几个关键步骤。

HiPIMS磁控溅射:材料制备的新趋势

HiPIMS磁控溅射技术具有独特的优势。与传统磁控溅射相比,它能在高功率脉冲模式下运行,产生高密度的等离子体。这使得溅射出来的原子或离子具有更高的能量和活性,在材料沉积过程中,可以更好地控制薄膜的微观结构

hipims电源能否当作偏压电源使用

HIPIMS(高功率脉冲磁控溅射)电源在一定条件下可以当作偏压电源使用,但也存在一些限制。

真空镀膜技术中,薄膜厚度的测量和控制是如何实现的?

这是一种常用的测量方法。其原理是基于光的干涉现象。当一束光照射到薄膜表面时,部分光被反射,部分光透过薄膜在基底和薄膜的界面再次反射,这两束反射光会发生干涉。通过检测干涉条纹的变化来确定薄膜的厚度。

如何控制和优化真空镀膜参数以获得较佳的效果

蒸发源温度是关键参数。对于不同的镀膜材料,有其特定的蒸发温度范围。如蒸发金属铝,温度一般在1200-1400℃。通过温度传感器和反馈控制系统,如热电偶结合PID控制器,能控制温度。温度过高可能导致材料过度蒸发,

真空镀膜过程中,材料是如何从源转移到基底上的

在蒸发镀膜技术中,首先将镀膜材料加热到足够高的温度,使其原子或分子获得足够的能量克服表面能,从固态或液态转变为气态。这个过程通常在真空环境下的蒸发源中进行。例如,对于金属材料如铝,通过电阻加热、电子束加热等方式使铝原子从蒸发源的固体表面逸出。

PECVD的关键工艺参数包括哪些,它们如何影响薄膜的特性?

PECVD(等离子体增强化学气相沉积)的关键工艺参数包括以下几个方面:

在PECVD过程中,哪些因素可能导致无法起辉,以及如何处理这些故障?

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)过程中,以下是一些可能导致无法起辉的因素及处理方法: