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技术知识

HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜

引言

在Si靶和Ta靶氧反应溅射时,用合适的HiPIMS脉冲参数可以抑制进气迟滞回线,在没有气体控制器下也能保证工艺稳定性。


点睛

通过HiPIMS反应溅射制备SiO2-Ta2O5光学干涉膜,并和RFMS制备膜层进行比较,HiPIMS制备的堆垛层,膜层更加致密,SiO2和Ta2O5界面更加清晰,折射率更高。


内容

溅射Si靶参数为:HiPIMS频率为1Khz,脉宽为40us,Ar=45sccm,O2=0-4sccm进气量,测试增加气体和减少气体曲线如图1(a)和(b);溅射Ta靶参数为:HiPIMS频率为50hz,脉宽为200us,Ar=45sccm,O2=0-50sccm进气量,测试增加气体和减少气体曲线如图1(c)和(d)所示;

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图1,a)和b)为Si靶连接HiPIMS时电流电压及功率与氧含量曲线, c)和d)为Ta靶HiPIMS时电流电压及功率与氧含量曲线


从图中可以看出,随着氧含量增加或者降低,Si靶和Ta靶都不存在迟滞现象。HiPIMS制备SiO2和Ta2O5的氧含量窗口很宽。

图2,a)为RF溅射制备的11层堆垛层,相比较b)HiPIMS制备的堆垛层,膜层更加致密,SiO2(白亮层)和Ta2O5(黑暗层)界面更加清晰。


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图2, a)和b)分别表示RFMS和HiPIMS制备的SiO2和Ta2O5的滤镜截面SEM图


分别比较RFMS和HiPIMS制备光学层的折射率,如图3所示,在波长550nm处,HiPIMS制备五氧化二钽达到2.2,而RFMS制备涂层折射率为2.16,其0.04的显著增加主要来自于HiPIMS溅射过程中离子轰击增强导致非晶态膜层致密度提高。

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图3、RFMS和HiPIMS制备的SiO2和Ta2O5的折射率n


结论

用HiPIMS制备SiO2和Ta2O5,其工艺窗口宽,单层膜的折射率要明显高于RFMS制备涂层。同时7层和11层堆垛的滤光层,其膜基结合力更高,膜层应力更低。



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